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DMC25D1UVT-7

功能描述：MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26

制造商：diodes incorporated

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：25V，12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：500mA，3.9A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：4 欧姆 @ 400mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：0.9nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：27.6pF @ 10V

功率 - 最大值：1.3W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装：TSOT-26

标准包装：1

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